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型号 SI5519DU-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET
SI5519DU-T1-GE3 PDF
代理商 SI5519DU-T1-GE3
产品目录绘图 PowerPAK ChipFET Dual
标准包装 3,000
FET 型 N 和 P 沟道
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6A，4.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 36 毫欧 @ 6.1A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 17.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 660pF @ 10V
功率 - 最大 2.27W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? CHIPFET? 双
供应商设备封装 PowerPAK? ChipFet 双
包装 带卷 (TR)
其它名称 SI5519DU-T1-GE3TR
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